$$$ Что такое ширина запрещенной зоны?
a) Зона, разделяющая валентную зону и зону проводимости;
b) Зона, расположенная выше валентной зоны;
c) Зона, расположенная ниже зоны электрической проводимости;
d) Ширина с диэлектрической проводимостью;
e) Зона с электрическим полем;
$$$ При температуре 300 К у кремния ширина запрещенной зоны равна:
a) ΔЭ=1,12 эВ;
b) ΔЭ=0,75 эВ;
c) ΔЭ=1,43 эВ;
d) ΔЭ=2,4 эВ;
e) ΔЭ=3,4 эВ;
$$$ Изменяется ширина запрещенной зоны с изменением температуры?
a) Да всегда;
b) Нет;
c) Никогда;
d) Периодически;
e) Импульсно;
$$$ Процесс образования свободных электронов в полупроводнике, называют:
a) генерация носителей заряда;
b) рекомбинация носителей заряда;
c) инжекция носителей заряда;
d) экстракция носителей заряда;
e) непосредственная рекомбинация носителей заряда;
$$$ Если электропроводность полупроводника обусловлена электронами, его называют:
a) полупроводником n-типа;
b) полупроводником p-типа;
c) дырочной проводимостью;
d) конвективным;
e) полупроводником п-р типа;
$$$ Что такое дрейф носителей заряда?
a) Направленное движение носителей заряда под действием электрического поля;
b) Хаотическое движение носителей заряда под действием электрического поля;
c) Направленное движение носителей заряда под действием магнитного поля ;
d) Хаотическое движение носителей заряда под действием магнитного поля ;
e) Импульсное движение носителей заряда под действием электрического поля ;
$$$ Электронно-дырочный переход это:
a) p-n – переход;
b) р-р – переход;
c) n-n – переход;
d) инжекторный — переход ;
e) диффузионный — переход ;
$$$ Диффузионное электрическое поле в p-n – переходе направлено:
a) от n-области к p-области;
b) от p-области к n-области;
c) хаотически;
d) переменно к разным областям;
e) к зоне с большим потенциалом;
$$$Прямой ток протекает через p-n переход, когда полярность напряжения на p-n переходе следующая:
a) + p-n -;
b) — p-n +;
c) -р-п-;
d) +п-р+;
e) без разницы;
$$$При обратном включении диода внешнее электрическое поле и диффузионное поле в p-n-переходе совпадают по направлению?
a) Да всегда;
b) Нет всегда;
c) Да периодически;
d) Да импульсно;
e) Нет иногда;
$$$Плоскостным называют диод:
a) У которого линейные размеры, определяющие площадь выпрямляющего электрического перехода, значительно больше характеристической длины;
b) У которого линейные размеры, определяющие площадь выпрямляющего электрического перехода, значительно меньше характеристической длины;
c) У которого линейные размеры, определяющие площадь выпрямляющего электрического перехода постоянно;
d) У которого линейные размеры, определяющие площадь выпрямляющего электрического перехода переменно;
e) У которого линейные размеры, определяющие площадь электрического перехода больше при обратном напряжении;
$$$Какую функцию выполняет стабилитрон?
a) Стабилизацию напряжения;
b) Стабилизацию тока;
c) Стабилизацию напряжения и тока;
d) Ни какую;
e) Выпрямляет напряжение;
$$$Какие диоды получили наибольшее практическое применение?
a) Кремниевые диоды;
b) Германиевые диоды;
c) Сплавные;
d) Обращенные;
e) Тунельные;
$$$Какие диоды относятся к приборам большой мощности?
a) Ток > 10 А;
b) Ток < 10 А;
c) Ток ≤ 10 А;
d) Ток > 100 А;
e) Ток < 100 А;;
$$$Какую функцию выполняют выпрямительные диоды?
a) Преобразование переменного тока;
b) Увеличение тока;
c) Увеличение напряжения;
d) Преобразование постоянного тока;
e) Стабилизации напряжения;
$$$Какую структуру имеет транзистор?
a) n-p-n;
b) n-p-n-p;
c) n-p;
d) p-n-p-n;
e) p-p-n;
$$$Какой вид тока на выходе диода, если он включен в электрическую цепь переменного тока?
a) переменный пульсирующий;
b) переменный непрерывный;
c) постоянный;
d) синусоидальный;
e) прямоугольный пульсирующий;
$$$Какую структуру имеет тиристор?
a) p-n-p-n;
b) n-p-n;
c) n-n-p-p;
d) p-p-n-n;
e) p-n-p;
$$$Открытое состояние тиристора сохраняется, если сигнал на управляющей электроде отсутствует ?
a) Да всегда;
b) Нет;
c) В зависимости от режима;
d) Да иногда;
e) Если напряжение постоянно;
$$$Какая схема включения у транзистора, если электроды база и эмиттер являются входным, а выходным коллектор, эмиттер?
a) Схема включения с ОЭ;
b) Схема включения с ОБ;
c) Схема включения с ОК;
d) Схема с ОБ при обратной проводимостью;
e) Схема включения с ОК и обратной связью;
$$$Какая схема включения у транзистора, если электроды база и эмиттер являются входным, а выходным коллектор, база?
a) Схема включения с ОБ;
b) Схема включения с ОК;
c) Схема включения с ОЭ;
d) Схема включения с ОК и обратной связью;
e) Инжекторная схема ;
$$$Какая схема включения у транзистора, если электроды база и коллектор являются входным, а выходным коллектор, эмиттер?
a) Схема включения с ОК;
b) Схема включения с ОБ;
c) Схема включения с ОЭ;
d) Диффузионная схема;
e) Смешанная схема;
$$$Какой режим работы транзистора необходимо обеспечить, если его использовать в логических схемах?
a) Ключевой;
b) Усилительный;
c) Плавный;
d) Ни какой;
e) С обратной связью;
$$$Какой режим работы транзистора необходимо обеспечить, если его использовать в схемах усиления сигнала?
a) Плавный;
b) Ключевой;
c) Ни какой;
d) Импульсный;
e) Пробойный;
$$$Сколько выводов имеет тиристор?
a) Четыре;
b) Один;
c) Два;
d) Три;
e) Пять;
$$$Сколько выводов имеет транзистор?
a) Три;
b) Один;
c) Два;
d) Четыре;
e) Пять;
$$$При уменьшении анодного тока до значения тока удержания, тиристор может самопроизвольно перейти в запертое состояние?
a) Да всегда;
b) Нет всегда;
c) Да иногда;
d) Нет иногда;
e) Все ответы неверны;
$$$Сколько выводов имеет динистор?
a) Два;
b) Один;
c) Три;
d) Четыре;
e) Пять;
$$$Какую имеет вольтамперную характеристику симистор?
a) симметричную для прямого и обратного тока;
b) не симметричную для прямого и обратного тока;
c) ни какую;
d) нарастающую при обратном ходе;
e) нарастающую при прямом ходе;
$$$С помощью какого элемента можно произвести включение и отключение электрической цепи?
a) Варистор;
b) Динистор;
c) Варикап;
d) Светодиод;
e) Фотодиод;
$$$В чем отличие динистора от тиристора?
a) он имеет два вывода;
b) он имеет три вывода;
c) он имеет четыре вывода;
d) он имеет пять выводов;
e) нет отличия;
$$$По какой схеме можно определить полный состав элементов и связей между ними, какого-либо устройства электроники?
a) принципиальная схема;
b) функциональная схема;
c) алгоритмическая схема;
d) структурная схема;
e) конструктивная схема;
$$$Какую функцию выполняет диодный мост в источниках питания?
a) выпрямление;
b) стабилизация;
c) сглаживание;
d) понижение;
e) повышение;
$$$Какой элемент необходимо использовать в источниках питания для сглаживания пульсации выходного напряжения?
a) конденсатор;
b) диод;
c) трансформатор;
d) стабилитрон;
e) тиристор;
$$$Какую функцию выполняет стабилитрон в источниках питания?
a) стабилизация;
b) сглаживание;
c) выпрямление;
d) понижение;
e) повышение;
$$$Какую функцию выполняет конденсатор в источниках питания?
a) сглаживание;
b) стабилизация;
c) выпрямление;
d) понижение;
e) повышение;
$$$Какой элемент необходимо использовать в источниках питания для стабилизации выходного напряжения?
a) стабилитрон;
b) диод;
c) конденсатор;
d) трансформатор;
e) тиристор;
$$$Компенсационный стабилизатор в источниках питания является системой по отклонению?
a) да;
b) нет;
c) в некоторых случаях;
d) только в отдельных случаях;
e) не всегда;
$$$Какой из элементов необходимо использовать в источниках питания для понижения напряжения в сети?
a) силовой трансформатор;
b) диод;
c) тиристор;
d) стабилитрон;
e) транзистор;
В каких схемах применяется диодный мост в источниках питания?
a) двухполупериодный;
b) однополупериодный;
c) однотактный;
d) двухтактный;
e) реверсивный;
$$$Для стабилизации выходного тока в источниках питания, какой элемент используется?
a) бареттер;
b) тиристор;
c) конденсатор;
d) диод;
e) динистор;
$$$Какие элементы или устройства используются для стабилизации выходного напряжения в слаботочных цепях?
a) параметрический стабилизатор;
b) компенсационный стабилизатор;
c) импульсный стабилизатор;
d) феррорезонансный стабилизатор;
e) частотные стабилизаторы;
$$$Какое устройство относится к электронному реле с контактным выходом?
a) транзисторный ключ, на выходе которого включена катушка электромагнитного реле;
b) двухкаскадный транзисторный усилитель с эмиттерной ОС;
c) двухкаскадный транзисторный усилитель с коллекторной ОС;
d) триггер;
e) мультивибратор;
$$$Какой из логических элементов выполняет функцию дизьюнкция?
a) ИЛИ;
b) И;
c) НЕ;
d) И-НЕ;
e) ИЛИ-НЕ;
$$$Какой элемент выполняет логическую функцию коньюкция?
a) И;
b) ИЛИ;
c) НЕ;
d) И-НЕ;
e) ИЛИ-НЕ;
$$$Какой элемент является стрелкой Пирса?
a) НЕ;
b) ИЛИ;
c) И;
d) И-НЕ;
e) ИЛИ-НЕ;
$$$Какой логический элемент с пассивным выходом?
a) диодный;
b) транзисторный;
c) транзисторно-диодный;
d) ЛЭ на магнитных элементах;
e) диодно-транзисторный;
$$$Какую логическую функцию выполняет тран-зисторный ключ включенный по схеме с общим эмиттером?
a) НЕ;
b) ИЛИ;
c) И;
d) И-НЕ;
e) ИЛИ-НЕ;
$$$В каких сериях логических интегральных микросхемах применяют многоэмиттерный транзистор?
a) ТТЛ;
b) МДП;
c) МНОП;
d) МДП;
e) КМДП;
$$$На базе элементарных логических элементов можно построить более сложные логические устройства, такие как триггер, счетчик и др;?
a) да;
b) нет;
c) возможно;
d) в некоторых случаях;
e) только в отдельных случаях;
$$$Какой сигнал вырабатывается на выходе логического элемента в зависимости от определенных сочетаний сигналов на входе?
a) непрерывный;
b) аналоговый;
c) дискретный;
d) постоянный;
e) переменный;
$$$Какой элемент относится к фотоэлектрическому приемнику излучения?
a) Фоторезистор;
b) Светодиод;
c) Фототранзистор;
d) Счетчик;
e) Переменный резистор;
$$$В системе h-параметров статическому коэффициенту усиления транзистора по току соответствует:
a) h21
b) h21б
c) h11Э
d) h11б
e) h22Э
$$$Наименьшим выходным сопротивлением обладает схема включения транзистора с:
a) ОК
b) ОБ
c) ОИ
d) ОЭ
e) ОС
$$$Полупроводниковый стабилитрон имеет структуру:
a) p-n
b) p-n-p
c) n-p-n
d) p-n-p-n
e) p-i-n
$$$Коэффициент усиления по напряжению каскада с ОЭ
a) KU>>1
b) KU=0
c) KU=1
d) KU<1
e) KU<0
$$$Основная характеристика резистора:
a) сопротивление R
b) индуктивность L
c) емкость С
d) Индукция В
e) ЭДС Е
$$$p-n переход образуется при контакте:
a) полупроводник- полупроводник
b) металл-металл
c) металл-полупроводник
d) металл-диэлектрик
e) полупроводник-диэлектрик
$$$Полупроводниковый диод имеет структуру:
a) p-n
b) n-p-n
c) p-n-p
d) p-n-p-n
e) n-p-n-p
$$$Электроды полупроводникового диода имеют название:
a) Катод, анод
b) База, эмиттер
c) Катод, управляющий электрод
d) База1, база2
e) Сетка, анод
$$$Электроды полупроводникового транзистора имеют название:
a) коллектор, база, эмиттер
b) анод, катод, управляющий электрод
c) сток, исток, затвор
d) анод, сетка, катод
e) База1, база2, эмиттер
$$$Какие системы параметров используют для биполярных транзисторов:
a) h, Y, Z
b) A, B, C
c) X, Y, Z
d)
e)
$$$В какой из схем включения биполярного транзистора достигается наибольшее входное сопротивление
a) ОК
b) ОЭ
c) ОБ
d) ОИ
e) ОС
$$$Коэффициент усиления по напряжению эмиттерного повторителя
a) КU>1
b) КU<1
c) КU=0
d) КU=
e) КU=1
$$$Логические переменные могут принимать значения:
a) 0 и 1
b) Действительные
c) любые
d) положительные
e) целые
$$$Основные характеристики дросселя:
a) индуктивность L
b) сопротивление R
c) емкость С
d) частота f
e) мощность P
$$$Соотношение между основными параметрами полевого транзистора имеет вид:
a) =SRi
b) Ik= Iб
c) Ik= IЭ
d) R=U/I
e) Iб=(1- ) IЭ
$$$Полупроводниковый диод применяется в устройствах электроники для цепей:
a) выпрямление переменного напряжения;
b) усиление напряжения;
c) стабилизации напряжения;
d) регулирования напряжения;
e) защиты от перенапряжений;
$$$Тиристор используется в цепях переменного тока для …
a) регулирования выпрямленного напряжения;
b) усиления напряжения;
c) усиления тока;
d) изменения фазы напряжения;
e) защиты от перенапряжений;
$$$Логические интегральные микросхемы используют для построения
a) цифровых устройств
b) усилителей напряжений
c) выпрямителей
d) генераторов
e) стабилизаторов
$$$Коэффициент усиления полевого транзистора определяется выражением:
a) = d UCU/ d UЗU
b) = d UЗU / d UСU
c) = d UСU / d iC
d) = d UЗU / d iC
e) = d UСU/ d iЗ
$$$Коэффициент усиления по току транзистора в схеме ОЭ:
a)
b)
c)
d)
e)
$$$Cтатический коэффициент передачи тока базы биполярного транзистора:
a)
b)
c)
d)
e)
$$$Наибольшее усиление по мощности на биполярном транзисторе дает схема:
a) ОЭ
b) ОИ
c) ОК
d) ОС
e) ОБ
$$$Oсновная характеристика конденсатора:
a) Емкость С
b) Индуктивность L
c) Сопротивление R
d) ЭДС E
e) Мощность Р
$$$Входной ток операционного усилителя определяется при
a) Iвх=0
b) Iвх= Iвых
c) Iвх<0
d) Iвх= Iвых
e) Iвх>0
$$$Коэффициент усиления полевого транзистора определяется выражением:
a) = d UCU/ d UЗU
b) = d UЗU / d UСU
c) = d UСU / d iC
d) = d UЗU / d iC
e) = d UСU/ d iЗ
$$$Cтатический коэффициент передачи тока базы биполярного транзистора:
a)
b)
c)
d)
e)
$$$Hаибольшее усиление по мощности на биполярном транзисторе дает схема:
a) ОЭ
b) ОИ
c) ОК
d) ОС
e) ОБ
$$$Напряжение между входами операционного усилителя
a) равно 0
b) равно Uпит
c) больше 0
d) Равно Uо;с;
e) меньше 0
$$$Отрицательная обратная связь в усилителе:
a) Снижает искажения
b) Поворачивает усилив; сигнал по фазе на 30 °
c) Повышает К;П;Д;
d) Повышает коэффициент усиления
e) Поворачивает сигнал по фазе на 90 °
$$$Отрицательная обратная связь в усилителе:
a) Все ответы неверные
b) снижает кпд
c) все ответы верны
d) снижает частотные свойства
e) уменьшается потребляемая от источника энергия
$$$Усилители низкой частоты усиливают сигнал:
a) в диапазоне частот от 20 до 20 кГц
b) в диапазоне частот от 20 до 20000 Гц
c) все ответы верны
d) от детектора
e) от микрофона
$$$Обозначение на конденсаторе 1000 рГ означает величину емкости в:
a) 0, 001 мкф
b) 0,1 мкф
c) 0,01 мкф
d) 1,0 мкф
e) 0, 00001 фарады
$$$Для полупроводников р-типа характерен
a) Полупроводник с избытком концентрации дырок
b) Кристалл обладающий избытком концентрации электронов
c) Рекомбинированный переход
d) Кристаллическая решетка с избытком электронов
e) Полупроводник с зоной проводимостью
$$$К полупроводникам п—типа относятся:
a) кристаллическая решетка с избыткам электронов
b) кристалл обладающий избытком концентрации электронов
c) рекомбинированный переход
d) полупроводник с зоной проводимостью
e) полупроводник с избытком концентрации дырок
$$$Как включается полупроводниковый р-п переход в прямом направлении:
a) Положительный полюс источника соединяют с выводом от р-области, а отрицательный — с выводом от п-области
b) Полярность внешнего источника питания изменяют на противоположную
c) Положительный полюс питания соединяют с выводом от п-области, а отрицательный — с р—областью
d) Изменить структуру кристаллической решетки полупроводника
e) Изменить полярность внутреннего источника питания
$$$Как включается полупроводниковый р-п переход в обратном направлении:
a) положительный полюс питания соединить с выводом от п-области, а отрицательный с р-областью
b) полярность внешнего источника питания изменить на противоположную
c) положительный понос источника соединить с выводом от р-области, а отрицательный — с выводом от п-области
d) изменить структуру кристаллической решетки полупроводника
e) изменить полярность внутреннего источника питания
$$$Какое свойство диода является основным:
a) Ни один из ответов не правилен
b) пропускание тока в обратном направлении
c) преобразование постоянного тока в пульсирующий
d) не пропускание постоянного тока
e) пропускание тока в прямом направлении
$$$Недостатком полупроводникового диода является:
a) Малый обратного тока
b) Резкое увеличения прямого тока
c) Зависимость выпрямленного тока от напряжения
d) Отсутствие в характеристике плавно изменяющейся кривизны
e) Наличие большого прямого тока
$$$Основными параметрами выпрямительных полупроводниковых диодов являются;;
a) максимально допустимое обратное напряжение и прямой ток
b) максимальная температура перехода
c) площадь радиатора и рабочая температура
d) способность работать в мостиковой схеме
e) возможность использования в цепи двухполупериодного выпрямителя
$$$Стабилитронами и стабисторами называются полупроводниковыми диодами, вольтамперные характеристики которых имеет:
a) малую зависимость от температуры
b) участки малой зависимости от протекающего тока
c) большую зависимость о температуры
d) участки большой зависимости от протекающего тока
e) обратную зависимость от протекающего тока
$$$В каком режиме работы транзисторного усилителя наилучшее сохранение КПД?
a) Режим А
b) Режим Д
c) Режим С
d) Во всех режимах
e) В режиме А и Д
$$$Рекомбинация носителей заряда это:
A) исчезновение пар носителей заряда (электрона и дырки)
B) возникновение пар носителей заряда
C) собственная электропроводность
D) примесная электропроводность
E) появление электронной проводимости
$$$Представленная схема на рисунке необходима для:
A) выпрямления высоких напряжений
B) выпрямление низких напряжений
C) уменьшения тока
D) увеличения тока
E) стабилизации тока
$$$Возникновение пар носителей заряда называют:
A) тепловой генерацией
B) рекомбинацией
C) дрейфом носителей
D) диффузией
E) электропроводностью
$$$Примеси, атомы которых отдают электроны называются:
A) донорами
B) электронной примесью
C) акцепторами
D) дырочной примесью
E) полупроводниками р-типа
$$$Примеси, атомы которых отбирают электроны называются:
A) акцепторами
B) электронной примесью
C) донорами
D) дырочной примесью
E) полупроводниками р-типа
$$$На рисунке дано условное обозначение:
A) варистора
B) терморезистора
C) реостата
D) фоторезистора
E) тензорезистора
$$$На рисунке дано условное обозначение:
A) терморезистора
B) варистора
C) реостата
D) фоторезистора
E) тензорезистора
$$$Полупроводники с преобладанием дырочной электропроводности называются:
A) полупроводниками р-типа
B) полупроводниками n-типа
C) полупроводниками р-n типа
D) полупроводниками n-р типа
E) полупроводниками р-n-р типа
$$$Укажите схему, где коэффициент усиления по току всегда немного меньше единицы:
A) схема с ОБ
B) схема с ОК
C) схема с ОЭ
D) каноническая схема
E) конструктивная схема
$$$Электропреобразовательный полупроводниковый прибор с одним р-n- переходом и двумя внешними выводами от областей кристалла с различными типами электропроводности, называется:
A) полупроводниковым диодом
B) транзистором
C) фототранзистором
D) динистором
E) тринистором
$$$Область в полевом транзисторе, через которую проходит поток основных носителей заряда, т.е. выходной ток, называется:
A) каналом
B) истоком
C) стоком
D) коллектором
E) затвором
$$$Биполярным называют транзистор:
A) с двумя n – p переходами
B) с тремя n- р переходами
C) с одним переходом
D) с управляющим электродом
E) канальный транзистор
$$$Электрод, к которому проходят основные носители заряда из канала, называют:
A) стоком
B) каналом
C) истоком
D) коллектором
E) затвором
$$$Полупроводниковый прибор с управляющим n-р переходом, называется:
A) полевым транзистором
B) тиристором
C) диодом
D) стабилитроном
E) триодом
$$$Полевые транзисторы также называют:
A) униполярными
B) биполярными
C) вырожденными
D) детекторными
E) параметрическими
$$$На рис. изображена схема:
A) неинвертирующего операционного усилителя
B) инвертирующего операционного усилителя
C) интегрирующего операционного усилителя
D) дифференцирующего операционного усилителя
E) сумматора на ОУ
$$$Преобразователь электрической энергии в световую, называется:
A) оптоизлучателем
B) оптопарой
C) фотоприемником
D) световодом
E) фотоизлучателем
$$$Преобразователь световой энергии в электрическую, называется:
A) фотоприемником
B) оптоизлучателем
C) фотоизлучателем
D) световодом
E) оптопарой
$$$Полупроводниковый прибор, в котором конструктивно объединены источник и приемник излучения, имеющие между собой оптическую связь, называется:
A) оптопарой
B) оптоизлучателем
C) фотоизлучателем
D) световодом
E) индикатором
$$$График зависимости между током и напряжением называется:
A) ВАХ прибора
B) ФЧХ прибора
С) АЧХ прибора
D) импульсной характеристикой
E) температурной характеристикой
Область полупроводникового прибора, разделяющая р-n переходы, называется:
A) базой
B) эмиттером
C) коллектором
D) n-переходом
E) р-переходом
Электронно-дырочный переход это:
A) p-n-переход
B) р-р-переход
C) n-n-переход
D) р-р-р-переход
E) n-n-n-переход
Движение носителей заряда под действием электрического поля называется:
A) дрейфом
B) диффузией
C) генерацией
D) рекомбинацией
E) электропроводностью
Движение носителей заряда под действием разности концентраций называется:
A) диффузией
B) дрейфом
C) генерацией
D) рекомбинацией
E) электропроводностью
На рисунке дано условное обозначение:
A) фоторезистора
B) варистора
C) тензорезистора
D) терморезистора
E) реостата
Область полупроводникового прибора, из которой инжектируются носители заряда, называется:
A) эмиттером
B) базой
C) коллектором
D) n-переходом
E) р-переходом
Область полупроводникового прибора, которая вытягивает носителей заряда, называется:
A) коллектором
B) базой
C) эмиттером
D) n-переходом
E) р-переходом
Электрод, из которого вытекают основные носители заряда, называют:
A) истоком
B) каналом
C) стоком
D) коллектором
E) затвором
Управляющий электрод, предназначенный для регулирования площади поперечного сечения канала, называют:
A) затвором
B) каналом
C) истоком
D) коллектором
E) истоком
При повышении температуры в полупроводниковых приборах проводимость:
A) растет
B) уменьшается
C) остается постоянной
D) сначала уменьшается, затем повышается
E) сначала увеличивается, затем уменьшается
Плоскостные диоды, работающие при обратном напряжении, от которого зависит барьерная емкость, называются:
A) варикапами
B) стабилитронами
C) конденсаторами
D) импульсными диодами
E) фотодиодами
Последовательное соединение диодов необходимо для:
A) выпрямления высоких напряжений
B) выпрямления низких напряжений
C) для уменьшения тока
D) для увеличения тока
E) для стабилизации тока
Параллельное соединение диодов применяют:
A) когда необходимо получить прямой ток, больший предельного тока одного диода
B) для выпрямления высоких напряжений
C) для выпрямления низких напряжений
D) для уменьшения тока
E) для стабилизации тока
На рисунке представлена энергетическая диаграмма:
A) металла
B) диэлектрика
C) полупроводника
D) транзистора
E) диода
На рисунке представлена энергетическая диаграмма:
A) диэлектрика
B) металла
C) полупроводника
D) транзистора
E) диода
На рисунке представлена энергетическая диаграмма:
A) полупроводника
B) металла
C) диэлектрика
D) транзистора
E) диода
На рисунке показан:
A) электронно-дырочный переход при отсутствии внешнего напряжения
B) переход контакта металла с полупроводником n-типа
C) электронно-дырочный переход при прямом напряжении
D) переход не обладающий выпрямляющими свойствами
E) переход контакта металла с полупроводником р-типа
На рисунке представлен:
A) биполярный транзистор с n-р-n переходом
B) транзистор с р-n-р переходом
C) полевой транзистор с каналом р-типа
D) полевой транзистор с каналом n-типа
E) туннельный диод
На рисунке дано условное обозначение:
A) полевого транзистора с n-р переходам и каналом n-типа
B) биполярный транзистор
C) фоторезистор
D) транзистор с индуцированным каналом n-типа
E) тиристор
На рисунке представлена ВАХ
A) тиристора
B) фототранзистора
C) диода
D) фоторезистора
E) полевого транзистора
На рисунке дано условное обозначение:
A) запираемого триодного тиристора с выводом от р-области
B) незапираемого триодного тиристора с выводом от n-области
C) диодного тиристора
D) незапираемого триодного тиристора с выводом от р-области
E) запираемого триодного тиристора с выводом от n-области
На рисунке дано условное обозначение:
A) незапираемого триодного тиристора с выводом от n-области
B) запираемого триодного тиристора с выводом от р-области
C) диодного тиристора
D) незапираемого триодного тиристора с выводом от р-области
E) запираемого триодного тиристор с выводом от n-области
На рисунке дано условное обозначение:
A) незапираемого триодного тиристора с выводом от р-области
B) запираемого триодного тиристора с выводом от р-области
C) диодного тиристора
D) незапираемого триодного тиристора с выводом от n-области
E) запираемого триодного тиристора с выводом от n-области
На рисунке дано условное обозначение:
A) диодного тиристора
B) запираемого триодного тиристора с выводом от р-области
C) незапираемого триодного тиристора с выводом от р-области
D) незапираемого триодного тиристора с выводом от n-области
E) запираемого триодного тиристора с выводом от n-области
На рисунке дано условное обозначение:
A) симистора
B) запираемого триодного тиристора с выводом от р-области
C) незапираемого триодного тиристора с выводом от р-области
D) незапираемого триодного тиристора с выводом от n-области
E) запираемого триодного тиристор с выводом от n-области
На рисунке дано условное обозначение:
A) запираемого триодного тиристора с выводом от n-области
B) запираемого триодного тиристора с выводом от р-области
C) незапираемого триодного тиристора с выводом от р-области
D) незапираемого триодного тиристора с выводом от n-области
E) симистора
На рисунке показан:
A) электронно-дырочный переход при обратном напряжении
B) переход контакта металла с полупроводником n-типа
C) электронно-дырочный переход при отсутствии внешнего напряжения
D) переход не обладающий выпрямляющими свойствами
E) переход контакта металла с полупроводником р-типа
На рисунке показан:
А — работа
A) переход не обладающий выпрямляющими свойствами
B) диод Шотки
C) электронно-дырочный переход при отсутствии внешнего напряжения
D) электронно-дырочный переход при прямом напряжении
E) электронно-дырочный переход при обратном напряжении
На рисунке показан:
А — работа
A) невыпрямляющий контакт металла с полупроводником n-типа
B) диод Шотки
C) электронно-дырочный переход при отсутствии внешнего напряжения
D) электронно-дырочный переход при прямом напряжении
E) электронно-дырочный переход при обратном напряжении
На рисунке показан:
А — работа
A) выпрямляющий контакт металла с полупроводником n-типа (диод Шотки)
B) невыпрямляющий контакт
C) электронно-дырочный переход при отсутствии внешнего напряжения
D) электронно-дырочный переход при прямом напряжении
E) электронно-дырочный переход при обратном напряжении
На ВАХ полупроводникового диода участок «ВГ» это область:
A) теплового пробоя
B) лавинного пробоя
C) туннельного пробоя
D) электрического пробоя
E) увеличения сопротивления
Укажите схему, где коэффициент усиления по напряжению всегда немного меньше единицы (близок к единице) :
A) схема с ОК (общим коллектором)
B) схема с ОБ
C) схема с ОЭ
D) каноническая схема
E) конструктивная схема
На рисунке представлен:
A) МДП-транзистор с каналом n-типа
B) транзистор с n-р-n переходом
C) транзистор с каналом р-типа
D) тиристор
E) туннельный диод
На ВАХ полупроводникового диода участок «АБВ» это область:
A) электрического пробоя
B) лавинного пробоя
C) туннельного пробоя
D) теплового пробоя
E) увеличения сопротивления
Каким будет содержимое 3-х разрядного последовательного регистра сдвига, после первого тактового импульса
Таблица
CLK CLR D
1 0 0
2 1 1
3 1 0
4 1 1
5 1 1
A) 000
B) 111
C) 1010
D) 100
E) 110
Тиристор это устройство:
A) с тремя n – p переходами
B) с двумя n- р переходами
C) с одним переходом
D) с управляющим электродом
E) канальный транзистор
На рисунке представлена:
A) схема включения с общим затвором
B) схема питания, позволяющая запирать транзистор
C) схема включения с общим эмиттером
D) эквивалентная схема полевого транзистора
E) схема подачи входного напряжения через конденсатор
Если частота на входе схемы равна 60000Гц, то частота сигнала на выходе декадного счетчика (счетчика по модулю 10) будет равна
A) 1000Гц
B) 1 Гц
C) 10 Гц
D) 100Гц
E) 60Гц
