Демо работы
Нет файлов
Описание работы
Описание работы
1. Устройством силовой техники, преобразующим переменное напряжение одной частоты в переменное напряжение другой постоянной, является*преобразователь числа фаз
*выпрямитель
*трансформатор
*преобразователь частоты
2. К недостаткам МОП-транзисторов относится
*малое значение входной емкости
*большое значение входной емкости
*повышенное сопротивление в проводящем состоянии
*очень низкое сопротивление в проводящем состоянии
3. Преобразователи, в которых передача аккумулированной энергии в нагрузку выполняется на этапе включения ключа (в импульсе), называются
*обратноходовые
*импульсно-ходовые
*прямоходовые
*интервально-ходовые
4. Преобразователи, в которых передача аккумулированной энергии в нагрузку выполняется на этапе выключения ключа (в паузе), называются
*Обратноходовые
*импульсно-ходовые
*прямоходовые
*интервально-ходовые
5. Силовой биполярный транзистор в точке отсечки находится в
*открытом состоянии и характеризуется очень малым током
*закрытом состоянии и характеризуется очень малым током
*закрытом состоянии и характеризуется очень большим током
*открытом состоянии и характеризуется очень большим током
6. К основным статическим параметрам полевых транзисторов с изолированным затвором не относятся
*энергия потерь при выключении
*максимально допустимое напряжение затвор-исток
*выходная емкость
*максимально допустимый ток стока
7. Нуль-орган не может быть выполнен на базе:
*ключевых транзисторов, работающих под управлением синхроимпульсов
*полупроводниковых диодов, работающих под управлением синхроимпульсов
*трансформатора, который перемагничивается в момент перехода синхронизирующего напряжения через нуль
*сравнивающего устройства в интегральном исполнении
8. Время восстановления обратного сопротивления для диодов общего назначения достигает:
*от 25 до 100 мкс
*от 1 до 5 мкс
*от 25 до 100 нс
*от 1 до 5 нс
9. Для мостовых схем используют защитные RCD-цепи, в которых резисторы подключаются
*соответственно к верхней и нижней монтажным шинам схемам
*перекрестно к противоположным монтажным шинам
*схемы последовательно с силовым ключом
*параллельно силовому ключу
10. Для включения тиристора SCR необходимо
*подать отрицательное напряжение между анодом и катодом
*снизить анодный ток до минимальной величины
*подать положительное напряжение между анодом и катодом
*подать импульс управления на управляющий электрод
11. К основным статистическим параметрам силовых биполярных транзисторов относятся
*время спада тока коллектора
*максимально допустимый ток коллектора
*ток обратного смещенного коллекторного перехода
*время нарастания тока коллектора
12. Диоды общего назначения на основе p-n-перехода характеризуются
*высокими значениями обратного напряжения и прямого тока
*высокими значениями прямого напряжения и прямого тока
*низкими значениями обратного напряжения и прямого тока
*низкими значениями обратного напряжения и обратного тока
13. Основные преимущества IGBT по сравнению с полевыми транзисторами
*высокое входное сопротивление
*меньшее напряжение в открытом состоянии
*высокие частотные характеристики
*низкий ток коммутации
14. Перегрузки по напряжению от коммутационных процессов не связаны с эффектами
*повреждение силового ключа
*накопление зарядов в ключевых компонентах схемы
*влияние паразитных элементов схемы и монтажа
*рассасывание зарядов в ключевых компонентах схемы
15. Пульсность выпрямителя
*обратно пропорциональна частоте пульсации
*прямо пропорциональна частоте питающего напряжения
*прямо пропорциональна частоте пульсации
*обратно пропорциональна частоте питающего напряжения
16. Биполярный транзистор с изолированным затвором IGBT сочетает особенности
*полевого транзистора с горизонтальным каналом
*униполярного транзистора
*полевого транзистора с вертикальным каналом
*биполярного транзистора
17. Быстродействие IGBT транзистора
*выше быстродействия полевых транзисторов
*ниже быстродействия полевых транзисторов
*выше быстродействия биполярных транзисторов
*ниже быстродействия биполярных транзисторов
18. В асинхронной одноканальной системе управления 3-х фазным выпрямителем частота задающего генератора (ЗГ)
*в шесть раз превышает частоты питающей сети
*в три раза меньше частоты питающей сети
*равна частоте питающей сети
*в три раза превышает частоту питающей сети
19. В инверсном режиме работы силового биполярного транзистора p-n-p-типа переходы смещаются
*коллектор-база - в обратном направлении
*эмиттер-база - в прямом направлении
*коллектор-база - в прямом направлении
*эмиттер-база - в обратном направлении
20. Устройством силовой техники, преобразующим переменное напряжение в постоянное, является
*преобразователь частоты
*инвертор
*выпрямитель
*регулятор переменного значения
21. В МОП-транзисторе управляющее напряжение, регулирующее ширину проводящего канала, подается на
*исток
*подложку
*затвор
*сток
22. К основным преимуществам полевых транзисторов относятся:
*высокий уровень собственных шумов
*высокое входное сопротивление в схеме с общим истоком (ОИ)
*отсутствие вторичного пробоя
*низкая плотность размещения элементов при изготовлении интегральных схем
23. В силовых инверторах с GTO ключами и двигательной нагрузкой энергия, запасаемая в паразитных и ограничивающих анодных индуктивностях,
*прямо пропорциональна величине паразитной индуктивности
*прямо пропорциональна квадрату величины анодного тока
*обратно пропорциональна величине паразитной индуктивности
*обратно пропорциональна квадрату величины анодного тока
24. Принципы построения систем управления преобразовательными устройствами не зависят от
*функционального назначения преобразовательных устройств
*конструкции преобразовательного устройства
*типа преобразовательных устройств
*элементной базы электронных ключей
25. В силовых приборах на основе многослойных p-n-переходов с неполной управляемостью
*включение осуществляется при спаде тока через прибор до нуля
*выключение осуществляется сигналом управления
*включение осуществляется сигналом управления
*выключение – при спаде тока через прибор до нуля
26. К аппаратам низкого напряжения не относятся
*аппараты управления и защиты
*аппараты автоматического регулирования
*шунтирующие реакторы
*аппараты автоматики
27. В системе управления инвертором автономного типа с 2-х ступенчатой коммутацией частота на выходе задающего генератора (ЗГ)
*в четыре раза меньшей выходной частоты инвертора
*в два раза превышает выходную частоту инвертора
*в четыре раза превышает выходную частоту инвертора
*в два раза меньшей выходной частоты инвертора
28. В структуре биполярного транзистора крайний слой, принимающий заряды, называется
*база
*коллектор
*подложка
*эмиттер
29. При включении тиристора допустимая скорость нарастания анодного тока должна находиться в пределах
*от 10 до 100 А/мкс
*от 1 до 100 А/мкс
*от 1 до 10 А/мкс
*от 10 до 1000 А/мкс
30. В структурной схеме, реализующей вертикальный способ управления, содержится
*фазосдвигающее устройство (ФСУ)
*нуль-орган (НО)
*генератор пилообразного напряжения (ГПН)
*компаратор (К)
31. В схеме ФИУ комплементарные транзисторы используют в основном для
*увеличения мощности, потребляемой ФИУ
*повышения частотных характеристик ФИУ
*снижения частотных характеристик ФИУ
*снижения мощности, потребляемой ФИУ
32. Величина заряда обратного восстановления силового диода
*прямо пропорциональна амплитуде входного сигнала
*прямо пропорциональна частоте коммутации
*обратно пропорциональна мощности потерь обратного восстановления
*прямо пропорциональна энергии обратного восстановления
33. Входной ток оптронов в импульсном режиме составляет
*порядка 0,1 А
*порядка 0,5 А
*порядка 0,3 А
*порядка 0,2 А
34. К аппаратам высокого напряжения, предназначенным для компенсации реактивной мощности, относятся
*разъединители и отделители
*ограничители перенапряжений
*шунтирующие реакторы
*разделительные трансформаторы
35. Входной ток оптронов в статическом режиме составляет
*от 10 до 20 А
*от 20 до 40 мА
*от 10 до 20 мА
*от 20 до 40 А
36. Для ограничения напряжения на затворе полевого транзистора параллельно выходному узлу драйвера включают
*шунтирующий высокочастотный конденсатор небольшой емкости
*быстродействующий диод
*низкочастотный диод
*шунтирующий низкочастотный конденсатор большой емкости
37. Для систем питания двигателей постоянного тока от сети переменного тока эффективно используют
*симисторы (триаки)
*однооперационные тиристоры
*МОП-транзисторы
*биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
38. Достоинства БСИТ по сравнению с СИТ
*напряжение отсечки равно нулю
*напряжение отсечки имеет отрицательное значение
*при отсутствии напряжения на затворе БСИТ находится в закрытом состоянии
*при отсутствии напряжения на затворе БСИТ находится в открытом состоянии
39. Если при работе запираемых тиристоров скорость нарастания тока di/dt превышает предельно установленный уровень, то
*улучшаются частотные и динамические свойства прибора
*снижается мощность потерь
*ухудшаются частотные и динамические свойства прибора
*возрастает мощность потерь
40. Идеальный диод переходит в замкнутое состояние, если
*напряжение на аноде меньше, чем напряжение на катоде
*напряжение на аноде равно напряжению на катоде
*напряжение на аноде больше, чем напряжение на катоде
*напряжения на аноде и катоде отсутствуют
41. Какие полевые транзисторы не входят в общую группу по принципу действия
*транзисторы с изолированным затвором (ПТИЗ)
*транзисторы с управляющим p-n-переходом (p-n-затвором) (ПТУП)
*МОП - транзисторы (металл -окисел-полупроводник)
*МДП - транзисторы (металл -диэлектрик-полупроводник
42. К недостаткам оптронной развязки в ФИУ не относится
*низкий коэффициент передачи тока
*температурная нестабильность параметров
*большая задержка передачи сигналов
*потенциальная развязки информационного сигнала
43. К новым типам комбинированных транзисторов относятся
*транзисторы со статической индукцией
*биполярные транзисторы с изолированным затвором
*симистор
*полевой тиристор МСТ
44. В мостовых схемах, построенных на быстрых МДП - транзисторах, могут возникнуть следующие отказы
*открытие нижнего транзистора за счет заряда входной емкости выше порогового уровня
*открытие паразитного биполярного транзистора при выключении внутреннего обратного диода *закрытие нижнего транзистора за счет заряда входной емкости выше порогового уровня
*закрытие паразитного биполярного транзистора при выключении внутреннего обратного диода
45. К основным достоинствам однотактных схем импульсных преобразователей относятся
*симметричный режим работы трансформатора
*малое количество силовых ключей
*простота реализации схем управления
*интеллектуальная система управления
46. Каких силовых МОП-транзисторов с изолированным затвором не существует
*с проводным каналом
*со встроенным каналом
*с индуцированным каналом
*с проецированным каналом
47. Допустимый ток тиристора в относительных единицах с ростом частоты
*вначале уменьшается, а потом увеличивается до 1
*не изменяется
*увеличивается до 1 и потом остается неизменным
*вначале увеличивается до 1, а потом уменьшается
48. В режиме отсечки биполярный транзистор можно заменить
*замкнутым ключом
*источником тока коллектора, управляемого током базы
*источником тока эмиттера, управляемого током базы
*разомкнутым ключом
49. К основным проблемам прямого управления силовым полевым транзистором в импульсных источниках питания относятся
*высокий уровень выходного тока драйвера
*низкая рассеиваемая мощность в драйвере
*ограниченный выходной ток драйвера
*оптимизация разводки печатной платы
50. К основным статическим параметрам полевых транзисторов с изолированным затвором относятся:
*входная емкость
*энергия потерь при включении
*максимально допустимый ток стока
*крутизна передаточной характеристики
51. К предельно допустимым параметрам силового диода относится
*импульсное обратное напряжение
*напряжение пробоя
*время нарастания прямого тока
*динамическое сопротивление
52. К проблемам использования трансформаторных ФИУ для управления силовыми ключами с изолированным затвором не относятся
*зависимость амплитуды импульса управления от скважности
*независимость стабильности времени выключения от длительности прямого сигнала
*зависимость стабильности времени выключения от длительности прямого сигнала
*независимость амплитуды импульса управления от скважности
53. К функциям системы управления силовым электронным устройством относятся
*преобразование переменного напряжения в постоянное напряжение
*преобразование постоянного напряжения в переменное напряжение
*формирование сигналов управления силовой частью
*осуществление оперативного обмена с внешней средой
54. Какая из схем включения полевого транзистора позволяет получить значительные коэффициенты усиления по току, напряжению и мощности одновременно
*с общей базой (ОБ)
*с общим истоком (ОИ)
*с общей подложкой (ОП)
*с общим стоком (ОС)
55. Какие из нижеперечисленных систем не относятся к дискретным системам
*импульсные
*цифровые
*непрерывные
*релейные
56.Основными недостатками ФИУ, построенных на базе частотно-широтно-импульсной модуляции, являются
*низкая частота коммутации
*зависимость частоты коммутации от входного напряжения
*зависимость частоты коммутации от тока нагрузки
*низкие динамические характеристики
57. Какое импульсное обратное напряжение имеет силовой диод 6-го класса
*6 В
*600 В
*60 В
*6000 В
58. Конструктивно симистор представляет собой
*объединение двух встречновключенных тиристоров
*объединение трех встречновключенных тиристоров
*объединение двух прямовключенных тиристоров
*объединение трех прямовключенных транзисторов
59. Коэффициент насыщения биполярного транзистора прямо пропорционален
*току коллектора в граничном режиме
*току базы в граничном режиме
*току базы в насыщенном режиме
*току коллектора в насыщенном режиме
60. Коэффициент передачи тока в транзисторе Дарлингтона равен
*сумме коэффициентов передачи тока двух составных транзисторов
*произведению коэффициентов передачи тока двух составных транзисторов
*разности коэффициентов передачи тока двух составных транзисторов
*отношению коэффициентов передачи тока двух составных транзисторов
61. Многоканальная система управления 3-х фазным выпрямителем содержит
*один генератор пилообразного напряжения
*один синхронизатор
*три синхронизатора
*три генератора пилообразного напряжения
62. По результатам анализа основных параметров транзисторных ключей самое высокое обратное напряжение выдерживает
*биполярный транзистор с изолированным затвором
*полевой транзистор с изолированным затвором
*асинхронный тиристор
*биполярный транзистор
63. Мощность потерь обратного восстановления силового диода равна
*произведению величины заряда обратного восстановления и частоты коммутации
*произведению величины заряда обратного восстановления и амплитуды входного сигнала
*произведению энергии обратного восстановления и частоты коммутации
*произведению амплитуды входного сигнала и частоты коммутации
64. Мощные МДП-транзисторы и высокочастотные биполярные транзисторы с изолированным затвором IGBT применяются в
*источниках питания с частотой преобразования от 250 до 500 кГц и с выходной мощностью до единиц кВт
*источниках питания с частотой преобразования от 75 до 200 кГц и с выходной мощностью до единиц кВт
*источниках питания с частотой преобразования от 250 до 500 кГц и с выходной мощностью до десятков кВт
*источниках питания с частотой преобразования от 75 до 200 кГц и с выходной мощностью до десятков кВт
65. Наиболее важными методами защиты от токовой перегрузки не являются
*подключение внешних дополнительных защитных устройств
*повышение уровня помехозащищенности системы управления и ключа
*определение момента перегрузки и подключение системы защиты
*уменьшение влияния паразитных элементов монтажа
66. При расчете защитных цепей тиристорных ключей по сравнению с транзисторными ключами не учитывают следующие особенности
*наличие более низких амплитудных значений переключающих токов и высоких значений рассеиваемой мощности
*наличие более высоких амплитудных значений переключающих токов
*изменение формы коммутируемых токов и напряжений
*наличие более высоких значений рассеиваемой мощности
67. Полевой транзистор в линейном режиме используется как
*источник тока, управляемый напряжением на затворе
*сопротивление, управляемое напряжением на затворе
*источник тока, управляемый током на затворе
*сопротивление, управляемое током на затворе
68. Какие силовые приборы не относятся к основным группам «разумных» преобразовательных приборов
*силовые ключи с встроенными системами защиты
*силовые ключи с интегрированными функциями защиты и управления
*силовые ключи с внешними системами защиты и управления
*силовые интеллектуальные модули
69. Не существует вида модуляции со следующими временными параметрами
*период импульса TO= const, длительность импульса tИ = const
*период импульса TO= var, длительность импульса tИ = var
*период импульса TO= const, длительность импульса tИ = var
*период импульса TO= var, длительность импульса tИ = const
70. Эквивалентная крутизна передаточной характеристики БТИЗ
*прямо пропорциональна напряжению на затворе
*прямо пропорциональна току коллектора
*обратно пропорциональна напряжению на затворе
*обратно пропорциональна току коллектора
71. Ограничением применения биполярных транзисторов в синхронных выпрямителях является условие: максимально допустимое обратное напряжение эмиттерного перехода должно быть
*равно 2-х кратному выходному напряжению выпрямителя
*больше 2-х кратного выходного напряжения выпрямителя
*меньше 2-х кратного выходного напряжения выпрямителя
*равно выходному напряжению выпрямителя
72. Оптотиристор – это
*тиристор со встроенным в него светоизлучателем
*фототиристор со встроенным в него светоприемником
*тиристор со встроенным в него светоприемником
*фототиристор со встроенным в него светоизлучателем
73. Основными видами перегрузок по напряжению не являются
*характер подключенной нагрузки
*коммутационные процессы
*воздействие питающей сети
*короткое замыкание цепи нагрузки
74. Особенностью МОП-транзисторов является
*низкое входное сопротивление и высокое быстродействие
*низкое входное сопротивление и низкое быстродействие
*высокое входное сопротивление и высокое быстродействие
*высокое выходное сопротивление и низкое быстродействие
75. Отсутствие неосновных носителей в диоде Шоттки не обеспечивает
*предельное обратное напряжение более 100 В
*низкую инерционность прибора
*время обратного восстановления не более 0,3 мкс
*падение прямого напряжения от 0,3 до 0,6 В
76. Передаточной характеристикой IGBT транзистора называется зависимость тока коллектора от напряжения между
*затвором и эмиттером при заданном напряжении между затвором и коллектором
*затвором и эмиттером при заданном напряжении между коллектором и эмиттером
*коллектором и эмиттером при заданном напряжении между затвором и эмиттером
*коллектором и эмиттером при заданном напряжении между затвором и коллектором
77. Плоскостные диоды
*имеют малую площадь p-n-перехода
*используются для выпрямления малых токов
*используются для выпрямления больших токов
*имеют большую площадь p-n-перехода
78. Полевые транзисторы нельзя включать по схеме
*с общим затвором (ОЗ)
*с общим стоком (ОС)
*с общим истоком (ОИ)
*с общей базой (ОБ)
79. Предельная частота управления силовым ключом полевого транзистора
*прямо пропорциональна среднему выходному току драйвера
*прямо пропорциональна величине заряда во входной цепи ключа
*обратно пропорциональна среднему выходному току драйвера
*обратно пропорциональна величине заряда во входной цепи ключа
80. При изготовлении полевых транзисторов с изолированным затвором, имеющих вертикальный канал, образуется паразитный
*p-n-переход
*униполярный транзистор
*биполярный транзистор
*n-p-переход
81. При переходе в закрытое состояние мощность потерь в силовом диоде
*резко увеличивается
*резко уменьшается
*равна нулю
*увеличивается постепенно
82. При подаче обратного напряжения смещения сопротивление идеального диода
*стремится к бесконечности
*меньше нуля
*равно нулю
*имеет конечную величину
83. При фазоимпульсном способе управления напряжение с анода тиристора поступает
*через устройство синхронизации (УС) на вход фазосдвигающего устройства (ФСУ)
*через устройство синхронизации (УС) на вход нуль - органа (НО)
*через устройство синхронизации УС на вход генератора пилообразного напряжения (ГПН)
*на вход фазосдвигающего устройства (ФСУ)
84. Ток стока IGBT транзистора
*обратно пропорционален эквивалентной крутизне
*обратно пропорционален напряжению на затворе
*прямо пропорционален эквивалентной крутизне
*прямо пропорционален напряжениюна затворе
85. Главным достижением развития современных силовых ключей является
*объединение в едином корпусе прибора источника электропитания и функций переключателя и защиты
*объединение в едином корпусе прибора функций переключателя, управления и защиты
*объединение в едином корпусе прибора источника тока и функций переключателя и защиты
*объединение в едином корпусе прибора источника электропитания и функций управления и защиты
обрабатываться непосредственно в блоке БОИ ; транслироваться в блок коммутационной аппаратуры КА
86. Сигналы управления, поступающие на вход блока обработки информации (БОИ), могут
*транслироваться в устройство контроля и диагностики (УКД)
*обрабатываться непосредственно в блоке БОИ
*транслироваться в блок коммутационной аппаратуры КА
*транслироваться в блок датчиков Д
87. Силовой диод содержит
*два p-n-перехода
*один p-n-переход
*три p-n-перехода
*один p-n-p-переход
88. Фототиристор – это фотоэлектронный прибор
*имеющий трехслойную структуру
*управляемый электрическими импульсами
*имеющий четырехслойную структуру
*управляемый световыми импульсами
89. В системах управления электродвигателями особенностью нагрузки не является
*наличие длительных многократных перегрузок по току
*индуктивный характер нагрузки
*наличие противонаправленной ЭДС вращения
*наличие кратковременных многократных перегрузок по току
90. Силовой униполярный транзистор – это полупроводниковый
*не полностью управляемый прибор
*полностью управляемый током прибор
*неуправляемый прибор
*полностью управляемый электрическим полем прибор
91. Статический индукционный транзистор по сравнению с полевым транзистором с изолированным затвором имеет
*более низкое быстродействие
*более высокое сопротивление канала в проводящем состоянии
*более высокое быстродействие
*более низкое сопротивление канала в проводящем состоянии
92. Какие ключевые приборы используются в диапазоне рабочих частот от 50 до 100 Гц
*биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
*тиристоры (SCR)
*биполярные и МОП-транзисторы
*симисторы (триаки)
93. Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) не применяются в
*сварочных аппаратах
*робототехнике
*печах СВЧ
*линиях электропередач
94. Управляющий параметр N, влияющий на изменение траектории движения рабочей точки транзистора, не зависит от
*фронта нарастания силового тока
*величины дополнительной индуктивности
*типа транзистора
*величины защитной емкости
95. Статический индукционный транзистор СИТ может работать при
*обратном смещении затвора (режим биполярного транзистора)
*прямом смещении затвора (режим полевого транзистора)
*прямом смещении затвора (режим биполярного транзистора)
*обратном смещении затвора (режим полевого транзистора)
96. Структура IGBT транзистора отличается от структуры DМОП-транзистора
*дополнительным слоем полупроводника n-типа
*дополнительным слоем полупроводника p-типа
*дополнительным слоем полупроводника p-n-типа
*дополнительным слоем полупроводника n-p-типа
97. Преобразователи частоты непосредственного типа содержат в каждой фазе вентильные группы, работающие
*только в выпрямительном режиме
*только в инверторном режиме
*в инверторном режиме
*в выпрямительном режиме
98. Схема замещения реального силового диода при низкой частоте не содержит
*идеальный диод
*катушку индуктивности
*электрическую батарею
*резистор с динамическим сопротивлением
99. Для снижения влияния помех на информационные каналы сигналов силовых ключей выполняют
*повышают уровень индуктивной связи между проводниками
*гальваническую развязку между основными токоведущими шинами схемы и драйверами ключей *уменьшают индуктивную связь между проводниками
*повышают уровень емкостной связи между цепями
100. Сходство характеристик БТИЗ и ПТИЗ в области безопасной работы
*наличие участка вторичного пробоя
*высокая температурная устойчивость
*низкая температурная устойчивость
*отсутствие участка вторичного пробоя
101. Фазосдвигающие устройства (ФСУ) не строятся на базе
*управляемых транзисторных генераторов
*импульсных трансформаторов
*R-L-Сцепей
*интегральных микросхем
102. Форсированный вывод биполярного транзистора электронного ключа из режима насыщения осуществляется
*путем размыкания его базовой цепи
*путем размыкания его эмиттерной цепи
*путем размыкания его коллекторной цепи
*путем размыкания его затворной цепи
103. Электрический пробой силового диода возникает, когда
*обратное напряжение уменьшается по отношению к установленному порогу
*обратное напряжение увеличивается сверх установленного порога
*обратное напряжение отсутствует
*обратное напряжение равно значению установленного порога
104. Электронный аппарат – это электротехническое устройство управления потоками
*энергии
*информации
*тока
*напряжения
105. IGBT транзистор не находит применение в области
*высоких напряжений
*высоких частот
*высоких мощностей
*высоких токов коммутации
106. Мощные полевые транзисторы (MOSFET) не применяются в
*автоэлектронике
*сварочных аппаратах
*аудиотехнике
*видеотехнике
107. SIT транзисторы производятся с каналами
*только p-типа
*только n-типа
*n-типа
*p-типа
108. Транзисторы Дарлингтона используют для
*увеличения коэффициента передачи тока в силовых высоковольтных транзисторах
*уменьшения коэффициента передачи тока в силовых высоковольтных транзисторах
*уменьшения коэффициента передачи тока в силовых низковольтных транзисторах
*увеличения коэффициента передачи тока в силовых низковольтных транзисторах
109. К параметрам силовой цепи тиристора по току не относится
*максимально допустимый средний прямой ток (предельный ток)
*энергия, которая может выделиться в тиристоре без его разрушения
*напряжение лавинного пробоя
*ударный ток
110. При подаче прямого напряжения смещения сопротивление идеального диода
*больше нуля
*меньше нуля
*стремится к бесконечности
*равно нулю
111. В силовых униполярных транзисторах регулирование тока производится с помощью
*электрического поля, перпендикулярного направлению тока
*электрического поля, параллельного направлению тока
*тока, перпендикулярного направлению напряжения
*тока, параллельного направлению напряжения
112. К динамическим характеристикам тиристоров в переходном процессе выключения относятся
*время нарастания
*время запаздывания обратного напряжения
*время выключения
*время установления
113. В системы управления трехфазно-однофазного преобразователем частоты с непосредственной связью содержатся
*две системы управления выпрямительным режимом (СУВР)
*две системы управления инверторным режимом (СУИР)
*три системы управления выпрямительным режимом (СУВР)
*три системы управления инверторным режимом (СУИР)
114. Для выключения определенных типов GTO в режиме перегрузки по току не используют
*магнитные выключатели
*плавкие предохранители общего назначения
*быстродействующие плавкие предохранители
*биметаллические выключатели
115. К параметрам силовой цепи тиристора по напряжению относятся
*максимально допустимый средний прямой ток (предельный ток)
*ударный ток
*напряжение лавинного пробоя
*напряжение переключения тиристора
116. Транзистор – это
117. В основе биполярного транзистора лежит
118. В структуре биполярного транзистора крайний слой, являющийся источником носителей зарядов, называется
119. В каком режиме может находиться биполярный транзистор в зависимости от полярности приложенного к переходам напряжения
120. Для перехода биполярного транзистора p-n-p-типа в активный режим необходимо сместить переходы
121. В активном режиме биполярного транзистора большая часть неосновных носителей, перешедших из эмиттера в базу, достигает коллекторного p-n-перехода благодаря
122. В активном режиме работы биполярного транзистора
123. В активном нормальном режиме силовой биполярный транзистор для малых приращений тока базы можно