Онлайн тест по предмету (с ответами) «Синергия | 3 семестр | Силовая электроника 1558»

Обзор работы

Демо работы

Описание работы

Описание работы

НЕГОСУДАРСТВЕННОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ ЧАСТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ «МОСКОВСКИЙ ФИНАНСОВО-ПРОМЫШЛЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ
«СИНЕРГИЯ»

В основе биполярного транзистора лежит
В ключевом режиме работы силового биполярного транзистора рабочая точка может находиться в следующих положениях
Какие полевые транзисторы не входят в общую группу по принципу действия
При отсутствии напряжений на электродах полевого транзистора сопротивление сток – исток
Особенностью МОП-транзисторов является
Полевой транзистор в линейном режиме используется как
К силовым приборам на основе многослойных p-n-переходов с полной управляемостью относятся
Конструктивно симистор представляет собой
Фототиристор – это фотоэлектронный прибор
В интегрированном запираемом тиристоре IGCT присутствует
В отличие от обычных тиристоров новые комбинированные приборы не имеют
Передаточной характеристикой IGBT транзистора называется зависимость тока коллектора от напряжения между
Высокой температурной устойчивостью не обладает
В транзисторе IGBT сочетается
Устройством силовой техники, преобразующим переменное напряжение одной частоты в переменное напряжение другой постоянной, является
Система управления силовым электронным аппаратом, в отличие от силовой части, не обеспечивает
Какие из нижеперечисленных систем не относятся к дискретным системам
Не существует вида модуляции со следующими временными параметрами
По методу управления биполярными транзисторами различают следующие режимы работы
Диодная оптронная развязка информационного сигнала в ФИУ обеспечивает
В режиме эмиттерного управления силовым ключом используют вспомогательный
Пульсность выпрямителя
С целью исключения бросков напряжения на силовом ключе, вызванных аккумулированной на индуктивности энергией, в цепь нагрузки не вводят дополнительный
Преобразователи, в которых передача аккумулированной энергии в нагрузку выполняется на этапе включения ключа (в импульсе), называются
В мостовых схемах, построенных на быстрых МДП - транзисторах, могут возникнуть следующие отказы
Использование МСТ тиристоров требует специальных мер по
Величина заряда обратного восстановления силового диода
Быстровосстанавливающиеся диоды характеризуются следующими параметрами
Отсутствие неосновных носителей в диоде Шоттки не обеспечивает
Точечные диоды
Оцените статью
Сессия под ключ дистанционно
Добавить комментарий

Заявка на расчет