Демо работы
Описание работы
Описание работы
СПИСОК ВОПРОСОВТранзисторы Дарлингтона используют для
К основным преимуществам полевых транзисторов относятся:
К основным динамическим параметрам полевого транзистора с изолированном затвором не относятся
В качестве многоканальных полевых транзисторов с высокими пробивными напряжениями (до 300 В) применяются:
Для изготовления высоковольтных DМОП - транзисторов с n-каналом используются
Качество МДП - структуры тем выше, чем
К силовым приборам на основе многослойных p-n-переходов с полной управляемостью относятся
Тиристоры с полной управляемостью применяются при создании
В отличие от обычных тиристоров новые комбинированные приборы не имеют
В структуре IGBT транзистора сочетаются две биполярные структуры
Достоинства БСИТ по сравнению с СИТ
Статический индукционный транзистор по сравнению с полевым транзистором с изолированным затвором имеет
Устройством силовой техники, преобразующим переменное напряжение в постоянное, является
Устройством силовой техники, преобразующим переменное напряжение одной частоты в переменное напряжение другой постоянной, является
Не существует следующего вида модуляций
При использовании широтно-импульсной модуляции временные параметры имеют вид
При использовании частотно-импульсной модуляции временные параметры имеют вид
При использовании частотно-широтно-импульсной модуляции временные параметры имеют вид
К основным проблемам прямого управления силовым полевым транзистором в импульсных источниках питания относятся
Предельная частота управления силовым ключом полевого транзистора
Наибольшее распространение нашли следующие способы управления вентильными преобразователями
В системе управления инвертором автономного типа с 2-х ступенчатой коммутацией частота на выходе задающего генератора (ЗГ)
Основными видами перегрузок по напряжению не являются
Для снижения влияния помех на информационные каналы сигналов силовых ключей выполняют
В системах управления электродвигателями особенностью нагрузки не является
Силовым диодом называется
Величина заряда обратного восстановления силового диода
Диоды общего назначения на основе p-n-перехода характеризуются